Как узнать времена ОЗУ

Способы увидеть время RAM. Определение текущего, а также набора времен, поддерживаемых модулями ОЗУ.

Как узнать тайминги оперативной памяти

Если вам нужно узнать время ОЗУ на вашем компьютере или ноутбуке, как текущее время, так и набор модулей ОЗУ, поддерживаемых модулями, вы можете сделать это с помощью специальных программ для анализа характеристик компьютерного оборудования.

В этом руководстве для начинающих представлены самые популярные программы для Windows 10, 8.1 и Windows 7, которые позволяют увидеть время и другие характеристики установленной оперативной памяти. Также может быть интересно: можно установить RAM разного объема, с разными частотами, таймингами, напряжениями.

Время RAM: какое время, на что оно влияет, как узнать и изменить время

Как работает оперативная память

Его работа тесно связана с процессором и носителями. На сайте мы уже писали об оперативной памяти и о том, как она работает. Данные с жесткого диска или другого запоминающего устройства изначально помещаются в оперативную память и только после обработки центральным процессором.

Структура RAM аналогична таблице, в которой сначала выбирается строка, а затем столбец. Он разделен на банки — ячейки SDRAM. Например, современные варианты DDR4 отличаются от DDR3 вдвое большим количеством банков. За счет увеличения производительности. Скорость DDR4 достигает 25,6 ГБ / с, при этом шина может работать на частоте 3200 МГц.

Недавно у нас уже была статья о разгоне процессора, пора RAM. Всем известно, что чем выше частота ОЗУ, тем она дороже. Так что разгон — это способ сэкономить. Но нужно понимать, что иногда такая экономия может обернуться дополнительными расходами

Разгон оперативной памяти (ОЗУ DDR3, DDR4) через БИОС

В принципе, принципиальной разницы, хотите ли вы разгонять оперативную память DDR3 или DDR4, нет. Поиск настроек в BIOS и последующие тесты будут выглядеть примерно одинаково. А потенциал разгона будет больше зависеть от производителя и качества оперативной памяти, а также материнской платы и процессора.

Также хочу отметить, что на большинстве ноутбуков в BIOS нет возможности изменять параметры оперативной памяти. Но весь этот «разгон», по сути, основан на настройке параметров.

Разгон ОЗУ в биосе Award

Перед тем, как начать разгон ОЗУ в Award BIOS, вам нужно нажать комбинацию клавиш Ctrl + F1, чтобы открыть расширенное меню настроек. Без этой «уловки» вы нигде не найдете нужных нам параметров RAM.

Теперь найдите в меню пункт MB Intelligent Tweaker (MIT). Вот необходимые нам настройки оперативной памяти, то есть множитель системной памяти. Изменяя частоту этого множителя, вы можете увеличивать или уменьшать тактовую частоту вашей оперативной памяти.

Также имейте в виду, что если вы хотите разогнать оперативную память, которая работает вместе со старым процессором, у вас, скорее всего, будет общий множитель для оперативной памяти и процессора. Итак, разогнав оперативную память, вы разгоните и процессор. К сожалению, эту функцию старых платформ невозможно обойти.

Вы также можете прямо здесь увеличить напряжение питания оперативной памяти. Однако это чревато последствиями, поэтому трогать напряжение следует только в том случае, если вы понимаете, что делаете и почему вы это делаете. Если нет, лучше оставить все как есть. И если вы все же решитесь, то вам непонятно напряжение больше 0,15В.

Определившись с частотой (пока как вам кажется) и напряжением (если вы решили), зайдите в главное меню и найдите пункт меню Advanced chipset functions. Здесь вы можете выбрать время задержки. Для этого сначала необходимо изменить значение параметра DRAM Timing Selectable с Auto на Manual, т. Е. Ручную настройку.

О том, как правильно рассчитать соотношение времен и частот, будет написано чуть ниже. А здесь я только описываю, где в биосе найти нужные нам настройки.

Разгон ОЗУ в биосе UEFI

UEFI bios — самый молодой из всех, и поэтому он почти похож на операционную систему. По этой же причине пользоваться им намного удобнее. Он не лишен графики, как и его предки, и поддерживает несколько языков, в том числе русский.

Погрузитесь прямо в первую вкладку под коротким названием MIT и перейдите в «Расширенные настройки частоты». Благодаря русскому интерфейсу здесь точно не запутаешься. Все аналогично первому варианту — настроить множитель памяти.

Затем перейдите в «Расширенные настройки памяти». Здесь мы управляем напряжением и временем. Думаю, с этим все понятно.

Не вижу смысла больше останавливаться на биосе. Если у вас есть другая биография, через научный опрос вы найдете необходимый элемент или прочтите инструкции для своей биографии.

Синхронизация Модули памяти DDR и DDR2 оцениваются в соответствии с максимальной частотой, с которой они могут работать. Но кроме частоты есть и другие параметры, которые определяют производительность памяти

Тайминги

Модули памяти DDR и DDR2 классифицируются по максимальной частоте, с которой они могут работать. Но помимо частоты есть и другие параметры, которые определяют производительность памяти: это времена. Времена представляют собой числа вроде 2-3-2-6-T1, 3-4-4-8 или 2-2-2-5, чем меньше число, тем лучше. Посмотрим, что означает каждая цифра этих чисел.

Модули памяти DDR и DDR2 маркируются в соответствии с классификацией DDRxxx / PCyyyy.

Первое число — xxx — указывает максимальную тактовую частоту, с которой могут работать микросхемы памяти. Например, максимальная частота, на которой могут работать модули DDR400, составляет 400 МГц, а модули DDR2-667 могут работать на частотах до 667 МГц. Следует уточнить, что это не реальная тактовая частота ячеек памяти — их рабочая частота в случае DDR — половина, а DDR2 — четверть частоты, указанной в маркировке модулей. То есть модули памяти DDR400 работают на частоте 200 МГц, а модули DDR2-667 — на частоте 166 МГц, но с контроллером памяти и DDR, и DDR-II сообщаются на половине частоты, указанной в маркировке (т.е. 200 и 333 МГц, последствий), поэтому в будущем именно эта частота будет пониматься как реальная рабочая частота.

Второе число, yyyy, указывает максимальную скорость передачи данных в МБ / с.

Максимальная скорость передачи данных для модулей DDR400 составляет 3200 МБ / с, поэтому они имеют маркировку PC3200. Модули DDR2-667 передают данные со скоростью 5336 МБ / с и имеют маркировку PC2-5400. Как видите, после «DDR» или «PC» мы ставим цифру «2», чтобы указать, что речь идет о памяти DDR2, а не DDR.

Первая классификация — DDRxxx — это стандарт классификации микросхем памяти, вторая — PCyyyy — для модулей памяти. На рисунке 1 показан модуль памяти Corsair PC2-4200, основанный на микросхеме DDR2-533.

Модуль памяти DDR2-533 / PC2-4200

Максимальную рабочую частоту модуля памяти можно рассчитать по следующей формуле:

теоретическая максимальная скорость передачи = тактовая частота x количество бит / 8

Поскольку модули DIMM передают 64 бита одновременно, «количество битов» будет 64. Поскольку 64/8 равно 8, эту формулу можно упростить:

теоретическая максимальная скорость передачи = тактовая частота x 8

Если модуль памяти установлен в компьютере, шина памяти которого работает с более низкой тактовой частотой, максимальная скорость передачи данных этого модуля памяти будет ниже теоретической максимальной скорости передачи данных. На практике непонимание этого факта случается довольно часто.

Например, вы приобрели 2 модуля памяти DDR500 / PC4000. Несмотря на то, что они имеют маркировку DDR500, они не будут автоматически работать на частоте 500 МГц в вашей системе. Это максимальная тактовая частота, которую они могут поддерживать, но она не всегда соответствует тактовой частоте, на которой они будут работать. Если вы установите их в обычный персональный компьютер, поддерживающий модули DDR, эти модули памяти будут работать на частоте 400 МГц (DDR400) — максимальной частоте стандарта DDR. В этом случае максимальная скорость передачи данных составит 3200 МБ / с (или 6400 МБ / с, если модули памяти работают в двухканальном режиме). Следовательно, модули не будут автоматически работать на частоте 500 МГц и не смогут достичь скорости передачи данных 4000 МБ / с.

Почему в таком случае покупают такие модули? Для разгона. Поскольку производитель гарантирует, что эти модули могут работать на частотах до 500 МГц, вы знаете, что вы можете увеличить частоту шины памяти до 250 МГц и тем самым повысить производительность компьютера. Но это можно сделать, если материнская плата компьютера поддерживает такой разгон. Поэтому, если вы не хотите «разгонять» свой компьютер, нет смысла покупать модули памяти с тактовой частотой, превышающей обычную частоту шины памяти материнской платы.

Для обычного пользователя этой информации о модулях памяти DDR / DDR2 вполне достаточно. С другой стороны, продвинутому пользователю необходимо знать еще одну характеристику: скорость работы памяти или, как еще называют набор временных параметров работы памяти, время, задержки или латентность. Рассмотрим эти параметры модулей памяти более подробно.

Тайминги

из-за разницы во времени 2 модуля памяти с одинаковой теоретической максимальной скоростью передачи данных могут иметь разную пропускную способность. Почему это может быть так, если оба модуля работают с одинаковой частотой?

Микросхему памяти требуется определенное количество времени для выполнения каждой операции: время определяет это время, выраженное в количестве тактов шины памяти. Возьмем пример. Рассмотрим наиболее известный параметр под названием CAS Latency (или CL, или «время доступа»), который указывает, сколько тактов требуется модулю памяти для предоставления данных, необходимых центральному процессору. Модуль памяти CL 4 будет отставать в ответ на 4 тактовых цикла, а модуль памяти CL 3 — на 3 тактовых цикла. Хотя оба модуля могут работать с одинаковой тактовой частотой, второй модуль будет работать быстрее, потому что он будет выводить данные быстрее, чем первый. Эта проблема известна как задержка».

Время запоминания указывается рядом чисел, например, так: 2-3-2-6-T1, 3-4-4-8 или 2-2-2-5. Каждое из этих чисел указывает, сколько тактов требуется памяти для конкретной операции. Чем ниже эти числа, тем быстрее память.

Модуль памяти DDR2 с таймингами 5-5-5-15

Временные числа указывают параметры следующих операций: CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD. Чтобы было понятнее, представьте, что память организована как двумерная матрица, где данные хранятся на пересечении строк и столбцов.

CL: CAS Latency — время, прошедшее с момента отправки команды в память до начала ответа на этот запрос. То есть это время между запросом процессором некоторых данных из памяти и моментом вывода этих данных из памяти.

tRCD: задержка от RAS до CAS — время, которое должно пройти с момента обращения к строке матрицы (RAS) до обращения к столбцу матрицы (CAS), в котором хранятся требуемые данные.

tRP: RAS preload — временной интервал с момента закрытия доступа к строке в матрице и начала доступа к другой строке данных.

tRAS — это пауза, необходимая памяти для возврата в состояние ожидания следующего запроса.

CMD: Command Rate — время с момента активации микросхемы памяти до момента, когда можно будет получить доступ к памяти с помощью первой команды. Иногда этот параметр не указывается. Обычно T1 (1 такт) или T2 (2 такта).

Обычно у пользователя есть 2 варианта. При настройке компьютера используйте стандартное время памяти. В большинстве случаев для этого при настройке материнской платы в пункте конфигурации памяти нужно выбрать параметр «авто». Вы также можете вручную настроить свой компьютер, чтобы сократить время, что может улучшить производительность системы. Следует отметить, что не все материнские платы позволяют изменять время памяти. Кроме того, некоторые материнские платы могут не поддерживать очень низкие времена, что может привести к настройке модуля памяти для работы в более высоких временах.

Конфигурация времени памяти в настройках материнской платы

При разгоне памяти может случиться так, что для стабильной работы системы может потребоваться увеличение времени памяти в настройках. Здесь могут быть очень интересные ситуации. Хотя частота памяти увеличится, из-за увеличения задержки памяти ее пропускная способность может уменьшиться.

Это еще одно преимущество модулей памяти, ориентированных на высокоскоростной разгон. Помимо обеспечения того, что модуль памяти будет работать с указанной тактовой частотой, производитель также гарантирует, что вы сможете поддерживать паспортное время модуля.

Возвращаясь к примеру с модулем памяти DDR500 / PC4000 — хотя вы можете достичь 500 МГц (250 МГц x2) с модулями DDR400 / PC3200, вам может потребоваться увеличить время, в то время как для DDR500 / PC4000 производитель гарантирует, что вы будете способен достигать 500 МГц при сохранении таймингов, указанных в маркировке.

Далее мы подробно рассмотрим все параметры, из которых состоят времена.

CAS Latency (CL)

Как упоминалось ранее, задержка CAS (CL) — очень важный параметр памяти. Указывает, сколько тактов памяти необходимо для вывода требуемых данных. Память с CL = 3 задержит ответ на 3 тактовых цикла, тогда как память с CL = 5 сделает то же самое после 5 тактовых циклов. Таким образом, на двух модулях памяти, работающих с одинаковой тактовой частотой, модуль с меньшим CL будет быстрее.

Обратите внимание, что под тактовой частотой здесь понимается фактическая тактовая частота, с которой работает модуль памяти, что составляет половину указанной частоты. Поскольку память DDR и DDR2 может выводить данные 2 раза за такт, для них указана настоящая двойная тактовая частота.

На рисунке 4 показан пример того, как работает CL. Здесь показаны 2 примера: для модуля памяти с CL = 3 и для модуля памяти с CL = 5. Команда «чтение» синего цвета».

Память с CL = 3 предлагает 40% преимущество в задержке по сравнению с памятью с CL = 5, если они оба работают с одинаковой тактовой частотой.

также можно рассчитать время задержки, по истечении которого память начнет вывод данных. Период каждого тактового цикла можно легко рассчитать по следующей формуле:

Таким образом, период одного такта памяти DDR2-533, работающей на частоте 533 МГц (частота шины — 266,66 МГц), составляет 3,75 нс (нс = наносекунда; 1 нс = 0,000000001 с). Обратите внимание, что для расчетов необходимо использовать реальную тактовую частоту, которая составляет половину номинальной тактовой частоты. Следовательно, память DDR2-533 будет задерживать вывод данных на 18,75 нс, если CL = 5, и на 11,25 нс, если CL = 3.

Память SDRAM, DDR и DDR2 поддерживает пакетный режим вывода данных, когда задержка перед следующей порцией данных составляет всего один тактовый цикл, если эти данные находятся по адресу, следующему за текущим адресом. Следовательно, в то время как первые данные выводятся с задержкой тактового цикла CL, последующие данные будут выводиться сразу после первых, без задержки следующего цикла CL.

Задержка от RAS до CAS (RAS to CAS Delay [tRCD])

Каждая микросхема памяти внутренне организована как двумерный массив. На каждом пересечении строк и столбцов есть небольшой конденсатор, который отвечает за хранение «0» или «1» — единиц информации или данных. Процедура доступа к данным, хранящимся в памяти, следующая: сначала активируется строка с необходимыми данными, затем столбец. Эта активация происходит с помощью двух управляющих сигналов: RAS (строб адреса строки) и CAS (строб адреса столбца). Чем короче временной интервал между этими двумя сигналами, тем лучше, поскольку данные будут считываться быстрее. На этот раз это называется задержкой от RAS к CAS [tRCD]. Это показано на рисунке 5, в данном случае для памяти с tRCD = 3.

Задержка RAS в CAS (tRCD)

Как вы можете видеть, задержка от RAS к CAS — это также количество тактовых циклов, которые проходят от команды «Активно» до команды «Чтение» или «Запись».

Как и в случае задержки CAS, задержка RAS to CAS имеет дело с реальной тактовой частотой (которая составляет половину скорости тегирования), и чем ниже этот параметр, тем быстрее работает память, поскольку в этом случае чтение или запись данных начинается быстрее.

RAS Precharge (tRP)

После получения данных из памяти необходимо отправить команду Preload in memory, чтобы закрыть строку памяти, из которой были прочитаны данные, и разрешить активацию другой строки. RAS Precharge Time (tRP) — временной интервал между командой Precharge и моментом, когда память может получить следующую команду активации — Active. Как мы узнали в предыдущем разделе, «активная» команда инициирует цикл чтения или записи.

На рисунке 6 показан пример памяти с tRCD = 3.

Как и в случае с другими параметрами, RAS Precharge заботится о реальной тактовой частоте (которая составляет половину частоты тегирования), и чем ниже этот параметр, тем быстрее работает память, поскольку в этом случае «активная» команда поступает быстрее.

Подводя итог вышесказанному, мы обнаруживаем, что время, прошедшее с момента подачи команды предварительной зарядки (закрыть строку и…) до фактического приема данных процессором, равно tRP + tRCD + CL.

Другие параметры

Давайте рассмотрим 2 других параметра: от активности до задержки предзарядки (tRAS) и скорости передачи команд (CMD). Как и другие параметры, эти 2 параметра имеют дело с фактической тактовой частотой (которая составляет половину скорости маркировки), и чем ниже эти параметры, тем быстрее память.

Задержка от активного до предварительной зарядки (tRAS): если в память получена команда «Активная», следующая команда «Предварительная зарядка» не будет принята памятью до тех пор, пока не истечет время, равное tRAS. Следовательно, этот параметр определяет ограничение по времени, по истечении которого память может начать чтение (или запись) данных из другой строки.

Command Rate (CMD) — период времени с момента активации микросхемы памяти (сигнал поступает на вывод CS — Chip Select) до момента, когда микросхема сможет принимать любые команды. Этот параметр обозначается буквой «T» и может принимать значения 1T или 2T — 1 такт или 2 такта соответственно.